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120mmQ345B钢板复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能

作者: 发布于:2021/1/31 8:30:40 点击量:

氢氧化注入以降低总生产成本SIMOXSOI晶片,氧和氮共注入,以形成新的结构,以提高总剂量辐射的性能。结果发现,在晶片制备过程中的氢离子被引入SIMOXSOI,样品的结构会产生比较大的变化。氢引起的缺陷的存在会导致成核速率的增加,氢的存在加速氧的扩散速率,使得在增强和促进氧析出物的生长退火期间氧扩散的内,外扩散,从而在掩埋的增稠层。室温氢离子注入增稠效果比高温注射显著更。实验中,我们得到了良好的质量增厚连续埋层的10%。增加氢离子注入剂量,由于退火过程中没有相应的调整后,由于退火不充分埋入层的样品从分布的28%至161%形成富氧振幅的加厚区域是非常广泛的,埋入层是不连续的。用不同剂量的能量富集氢的掩埋层的对分布和形态的影响。进一步注入条件适当地调节和退火过程中,与具有相当大的增稠的材料要致密连续掩埋层,其是用于降低生产成本的重要。使用氮氧自由基共注射材料以形成新的SIMONSOI。通过测试大量的不同的制备和注入条件和退火过程的分析,我们发现,该结构材料是SIMON注入和退火的条件很敏感,并发现了良好的注入能量,剂量以生产出高质量的SIMON的材料;氮,氧的趋势在所述界面处富集;退火--的各种氮氧复合物和初步比较分析的倾向,使用氧植入注入氮气注入-制备退火。从抗辐射的原理出发认为SIMON像SIMOX具有瞬时剂量率效果的自然性和抗SEU能力的影响。低剂量的SIMOX晶片进行的实验中的总抗辐射剂量。它发现该设备的辐射漏极-源极电流特性,和传输特性亚阈值漏泄特性的电特性等的影响不大。实验结果表明,低剂量的SIMOX晶片已经能够产生用于实际MOS器件初步辐射。总反剂量照射实验的SIMON材料和与该材料相比SIMOX。SIMON材料被发现具有更优异的总剂量辐射的能力。总剂量辐射主要能力优异SIMON材料存在于大量的断键的掩埋层内。SIMON与各种抗辐射的全容量优良材料的各种优点,但也有一个SOI材料,生产基础材料的SIMOX兼容,具有广阔的应用前景。主:耐磨复合板120mmQ345B钢板


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